[发明专利]一种钝化接触的IBC电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种钝化接触的IBC电池的制备方法。其中，N型晶体硅基体背表面的掺杂处理方式为：在N型晶体硅基体的背表面生长背表面氧化层，然后在背表面氧化层上生长本征多晶硅层或者本征非晶硅层，然后在本征多晶硅层或者本征非晶硅层上注入磷离子；然后生长一层掩膜，利用阻挡浆料保护n+区域，通过印刷阻挡浆料形成交叉的p+和n+区域，然后去掉p+区域的掩膜后，最后用硼扩散一次性对n+区域进行退火和p+区进行掺杂，这样在背面形成交替的p+和n+掺杂区域。其有益效果是：表面钝化效果好，开路电压和转换效率高；减少了高温工序数目，节约了生产成本；减少了激光刻蚀带来的硅片损伤，更利于高转换效率电池的实现。

主权项

1.一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)分别对N型晶体硅基体的前表面和背表面进行掺杂处理，N型晶体硅基体背表面的掺杂处理方式为：在N型晶体硅基体的背表面生长背表面氧化层，然后在背表面氧化层上生长本征多晶硅层或者本征非晶硅层，然后在本征多晶硅层或者本征非晶硅层上注入磷离子；然后生长一层掩膜，利用阻挡浆料保护n+区域，通过印刷阻挡浆料形成交叉的p+和n+区域；(2)将N型晶体硅基体先用酸溶液去除掉p+区域的掩膜，再用碱溶液刻蚀掉n+区域的刻蚀阻挡浆料及p+区域离子注入的磷原子；(3)将N型晶体硅基体进行硼扩散，扩散完成后形成n+掺杂前表面场、相互交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域；(4)然后在N型晶体硅基体的前表面形成钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面形成钝化膜；(5)在N型晶体硅基体的背表面制备与背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域欧姆接触的金属电极。