[发明专利]一种钝化接触的IBC电池的制备方法

权利要求书

1.一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)分别对N型晶体硅基体的前表面和背表面进行掺杂处理，N型晶体硅基体背表面的掺杂处理方式为：在N型晶体硅基体的背表面生长背表面氧化层，然后在背表面氧化层上生长本征多晶硅层或者本征非晶硅层，然后在本征多晶硅层或者本征非晶硅层上注入磷离子；然后生长一层掩膜，利用阻挡浆料保护n+区域，通过印刷阻挡浆料形成交叉的p+和n+区域；

(2)将N型晶体硅基体先用酸溶液去除掉p+区域的掩膜，再用碱溶液刻蚀掉n+区域的刻蚀阻挡浆料及p+区域离子注入的磷原子；

(3)将N型晶体硅基体进行硼扩散，扩散完成后形成n+掺杂前表面场、相互交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域；

(4)然后在N型晶体硅基体的前表面形成钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面形成钝化膜；

(5)在N型晶体硅基体的背表面制备与背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域欧姆接触的金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，背表面氧化层的厚度为1～3nm，背表面氧化层为SiO₂，SiO₂的生长方法为高温热氧化法、硝酸氧化法、臭氧氧化法或CVD沉积法。

3.根据权利要求1所述的一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，在背表面氧化层上生长本征多晶硅层的方法是：将N型晶体硅基体放入LPCVD设备中，在背表面氧化层上生长本征多晶硅层；

在背表面氧化层上生长本征非晶硅层的方法是：将N型晶体硅基体放入APCVD设备或PECVD设备中，在背表面氧化层上生长本征非晶硅层。

4.根据权利要求1所述的一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，本征多晶硅层或者本征非晶硅层上的磷离子的注入剂量为2×10¹⁵cm^-2～8×10¹⁵cm^-2。

5.根据权利要求1所述的一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，掩膜的制备方法是在N型晶体硅基体的背表面利用PECVD设备沉积一层厚度为50～200nm的SiO_x介质膜。

6.根据权利要求1所述的一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，利用阻挡浆料保护n+区域，通过印刷阻挡浆料形成交叉的p+和n+区域，该浆料是通过印刷方式局部印刷在背面的n+区域，印刷之后进行低温烧结，烧结温度在100～300℃。

7.根据权利要求1所述的一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，酸溶液为5％～10％的HF溶液，碱溶液为1％的KOH溶液。

8.根据权利要求1所述的一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，N型晶体硅基体前表面的掺杂处理方式为：使用离子注入机在N型晶体硅基体的前表面进行离子注入，注入元素为磷，注入剂量为1×10¹⁵cm^-2～4×10¹⁵cm^-2。

9.根据权利要求1～8任一所述的一种钝化接触的IBC电池的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，硼扩散采用扩散炉管的方式，扩散温度为900～1000℃，时间为60～180分钟，硼源采用三溴化硼。