[发明专利]沟槽台阶栅IGBT芯片有效
| 申请号： | 201810425729.1 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108538912B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱春林;罗海辉;刘国友;戴小平;肖强;覃荣震 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈伟 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种沟槽台阶栅IGBT芯片，包括衬底和位于衬底表面内的第一沟槽栅，所述第一沟槽栅结构为实栅，所述第一沟槽栅的栅极氧化层由不同的栅氧厚度组成，位于上方的栅极氧化层的栅氧厚度小于位于下方的栅极氧化层的栅氧厚度。本发明的沟槽台阶栅IGBT芯片有效沟道工作区采用比较薄的栅极氧化层，而在沟槽底部采用比较厚的栅极氧化层，从而提升了芯片密度、降低了通耗和增强了栅极对开关的控制能力，增加了沟道底部的耐压能力和降低输出电容，从而降低开关损耗；同时增加P阱剂量以维持Vth在同一水平并增强了器件的反闩锁能力，从而实现在提升芯片电流密度的同时还优化了芯片的电学性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 台阶 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽台阶栅IGBT芯片，包括衬底和位于衬底表面内的第一沟槽栅，其特征在于，所述第一沟槽栅结构为实栅，所述第一沟槽栅的栅极氧化层为台阶形貌，第一沟槽栅的栅极氧化层由不同的栅氧厚度组成，位于上方的栅极氧化层的栅氧厚度小于位于下方的栅极氧化层的栅氧厚度。
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