[发明专利]解决有源区位错缺陷的方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201810420914.1 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108630531A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;徐静静;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种解决有源区位错缺陷的方法以及半导体器件，所述解决有源区位错缺陷的方法包括：提供衬底，所述衬底设置有有源区；采用低注入能量的方式注入砷元素在所述有源区形成源/漏极，所述低注入能量的方式的工艺条件包括：注入能量为3kV～30kV；进行退火工艺。本发明提供的解决有源区位错缺陷的方法以及半导体器件中，在有源区形成源/漏极时采用低注入能量的方式注入砷元素，调整器件源漏注入条件，减少有源区的晶格错位，有效的防止晶格失配，从而减少漏电流，并通过退火工艺的修复作用，减少有源区位错缺陷，提高产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 区位 注入能量 源区 半导体器件 退火工艺 源/漏极 砷元素 衬底 调整器件 工艺条件 晶格错位 晶格失配 注入条件 漏电流 源漏 修复 | ||
【主权项】：
1.一种解决有源区位错缺陷的方法，其特征在于，所述解决有源区位错缺陷的方法包括：提供衬底，所述衬底设置有有源区；采用低注入能量的方式注入砷元素在所述有源区形成源/漏极，所述低注入能量的方式的工艺条件包括：注入能量为3kV～30kV；进行退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
