[发明专利]解决有源区位错缺陷的方法及半导体器件

说明书

本发明提供一种解决有源区位错缺陷的方法以及半导体器件，所述解决有源区位错缺陷的方法包括：提供衬底，所述衬底设置有有源区；采用低注入能量的方式注入砷元素在所述有源区形成源/漏极，所述低注入能量的方式的工艺条件包括：注入能量为3kV～30kV；进行退火工艺。本发明提供的解决有源区位错缺陷的方法以及半导体器件中，在有源区形成源/漏极时采用低注入能量的方式注入砷元素，调整器件源漏注入条件，减少有源区的晶格错位，有效的防止晶格失配，从而减少漏电流，并通过退火工艺的修复作用，减少有源区位错缺陷，提高产品的性能。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种解决有源区位错缺陷的方法及半导体器件。

背景技术

随着集成电路设计中器件尺寸的不断缩小以及制造技术的进步，需要对有源区也进行相应的缩小，甚至还需要对器件沟道进行缩小，以实现器件尺寸的不断微缩。

但是，随着有源区和沟道尺寸的不断缩小，导致源漏之间的应力对器件性能的影响会越来越明显，从而可能形成位错缺陷等产生漏电流，这种影响随着器件尺寸的减小变得越来越不能忽视。

因此，如何提供一种解决位错缺陷的方法是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种解决有源区位错缺陷的方法及半导体器件，解决半导体器件出现位错缺陷的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种解决有源区位错缺陷的方法，所述解决有源区位错缺陷的方法包括：

提供衬底，所述衬底设置有有源区；

采用低注入能量的方式注入砷元素在所述有源区形成源/漏极，所述低注入能量的方式的工艺条件包括：注入能量为3kV～30kV；

进行退火工艺。

可选的，在所述解决有源区位错缺陷的方法中，所述退火工艺的工艺条件包括：温度为800℃～1100℃，时间为1mS～20S。

可选的，在所述解决有源区位错缺陷的方法中，所述衬底上还设置有侧墙，所述侧墙位于所述有源区外侧。

可选的，在所述解决有源区位错缺陷的方法中，所述侧墙朝向所述有源区倾斜形成夹角，所述夹角的角度小于80°。

可选的，在所述解决有源区位错缺陷的方法中，所述侧墙采用浅沟槽隔离工艺，所述侧墙的材料包括氧化硅和/或氮化硅。

可选的，在所述解决有源区位错缺陷的方法中，所述侧墙的高度高于所述有源区。

可选的，在所述解决有源区位错缺陷的方法中，所述衬底上还设置有栅极，所述栅极还包括栅氧化层，所述栅氧化层附着在所述衬底上。

可选的，在所述解决有源区位错缺陷的方法中，所述衬底上还设置有轻掺杂区，所述轻掺杂区位于所述栅极两侧。

本发明还提供一种半导体器件，所述半导体器件采用上述解决有源区位错缺陷的方法形成源/漏极。

综上所述，本发明提供的解决有源区位错缺陷的方法以及半导体器件中，在有源区形成源/漏极时采用低注入能量的方式注入砷元素，调整器件源漏注入条件，减少有源区的晶格错位，有效的防止晶格失配，从而减少漏电流，并通过退火工艺的修复作用，减少有源区位错缺陷，提高产品的性能。

附图说明

图1为本发明实施例的解决有源区位错缺陷的方法的流程图；

图2-3为本发明实施例的半导体器件的剖面结构示意图；

其中，10-衬底，11-有源区，20-侧墙，30-栅极，31-栅氧化层，40-轻掺杂区。

具体实施方式