[发明专利]一种改善层间介质层空洞的方法

摘要

本发明公开了一种解决层间介质层空洞的方法，应用于半导体制造工艺中，采用于栅极结构外侧形成侧墙及硅化物层间介质层复合薄膜，于复合薄膜外表面形成一第一预定厚度的第一氧化物层，回刻第一氧化物层，于第一氧化物层表面通入氧气并持续一不小于15秒的预定时间，于第一氧化物层表面继续形成氧化物层，以完成氧化物层间介质层的制备工艺。本发明的技术方案将通过氧气处理工艺，使得控制栅间隙中的杂质能够被氧气气流带走以达到清洁干净控制栅间隙间的效果，在去除杂质避免了层间介质层的空洞生成，减少了产品缺陷，提高了产品良率。

主权项

1.一种改善层间介质层空洞的方法，应用于半导体制造工艺中，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一完成具有控制栅的栅极结构制备工艺的半导体结构；步骤S2：于所述栅极结构外侧形成侧墙及硅化物层间介质层复合薄膜；步骤S3：于所述复合薄膜外表面形成一第一预定厚度的第一氧化物层；步骤S4：回刻所述第一氧化物层，以去除一第二预定厚度的所述第一氧化物层；步骤S5：于所述第一氧化物层表面通入氧气并持续一不小于15秒的预定时间，以去除回刻所述第一氧化物层时残留于所述栅极结构之间的残留物；步骤S6：于所述第一氧化物层表面继续形成氧化物层，以完成氧化物层间介质层的制备工艺。