[发明专利]一种改善层间介质层空洞的方法有效
| 申请号： | 201810416000.8 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108630526B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 黄胜男;罗清威;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 介质 空洞 方法 | ||
1.一种改善层间介质层空洞的方法，应用于半导体制造工艺中，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：提供一完成具有控制栅的栅极结构制备工艺的半导体结构；
步骤S2：于所述栅极结构外侧形成侧墙及硅化物层间介质层复合薄膜；
步骤S3：于所述复合薄膜外表面形成一第一预定厚度的第一氧化物层；
步骤S4：回刻所述第一氧化物层，以去除一第二预定厚度的所述第一氧化物层；
步骤S5：于所述第一氧化物层表面通入氧气并持续一不小于15秒的预定时间，以去除回刻所述第一氧化物层时残留于所述栅极结构之间的残留物；
步骤S6：于所述第一氧化物层表面继续形成氧化物层，以完成氧化物层间介质层的制备工艺。
2.根据权利要求1所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述预定时间为15-30秒。
3.根据权利要求1所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述预定时间为20秒。
4.根据权利要求1所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述第一预定厚度为
5.根据权利要求1所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述第二预定厚度为
6.根据权利要求1所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述第一氧化物层材质为氧化硅。
7.根据权利要求6所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述步骤S4中，采用三氟化氮气体回刻所述第一氧化物层。
8.根据权利要求6所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用化学气相沉积工艺形成所述第一氧化物层。
9.根据权利要求8所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺通过甲硅烷和氧气的混合气体沉积所述第一氧化物层。
10.根据权利要求1所述的改善层间介质层空洞的方法，其特征在于，所述步骤S6中，继续沉积的氧化物层为氧化硅；和/或所述步骤S6中，继续沉积的氧化物层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
