[发明专利]一种改善控制栅填充缺陷的方法有效
| 申请号： | 201810415999.4 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108666211B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 黄胜男;谢峰;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11526 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善控制栅填充缺陷的方法，采用在已形成浮栅结构的半导体结构表面采用较低的温度沉积多晶硅，以形成多晶硅层，再对硅片进行高温退火处理使得多晶硅二次生长。采用本发明的技术方案能够实现消除多晶硅填充时的空洞缺陷，同时保持多晶硅的阻值和载流子的迁移率不变，达到工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 控制 填充 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善控制栅填充缺陷的方法，应用于半导体制造工艺中，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一具制备有浮栅结构的半导体结构；步骤S2：以一小于等于600℃的第一温度在所述半导体结构表面沉积多晶硅，以形成一用以制备控制栅的第一多晶硅层；步骤S3：以一大于600℃的第二温度对所述第一多晶硅层进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
