[发明专利]一种改善控制栅填充缺陷的方法有效
| 申请号： | 201810415999.4 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108666211B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 黄胜男;谢峰;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11526 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 控制 填充 缺陷 方法 | ||
1.一种改善控制栅填充缺陷的方法，应用于半导体制造工艺中，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：提供一具制备有浮栅结构的半导体结构；
步骤S2：以一小于等于600℃的第一温度在所述半导体结构表面沉积一次多晶硅，以形成一用以制备控制栅的第一多晶硅层；
步骤S3：以一大于600℃的第二温度对所述第一多晶硅层进行一次退火处理。
2.根据权利要求1所述的改善控制栅填充缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第一温度为580℃-600℃。
3.根据权利要求1所述的改善控制栅填充缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第一温度为580℃。
4.根据权利要求1所述的改善控制栅填充缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述第二温度大于等于615℃。
5.根据权利要求1所述的改善控制栅填充缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述第二温度为620℃。
6.根据权利要求1所述的改善控制栅填充缺陷的方法，其特征在于，形成所述步骤S1中提供的所述半导体结构包括以下步骤：
步骤A1：提供一硅片，并于所述硅片表面形成浅沟槽隔离结构；
步骤A2：在所述硅片表面形成一浮栅氧化层；
步骤A3：于所述浮栅氧化层表面沉积多晶硅以形成一用以形成浮栅的第二多晶硅层；
步骤A4：刻蚀所述浅沟槽隔离结构，使所述浅沟槽隔离结构顶部低于所述第二多晶硅层的上表面，且不低于所述浮栅氧化层的上表面，以形成浮栅形貌；
步骤A5：于所述浮栅形貌外表面及所述浅沟槽隔离结构顶面形成一控制栅绝缘层，以得到浮栅结构。
7.根据权利要求6所述的改善控制栅填充缺陷的方法，其特征在于，所述步骤A3中，在形成所述第二多晶硅层后，还包括以下步骤：
对所述硅片表面进行研磨，使所述第二多晶硅层与所述浅沟槽隔离结构顶部齐平。
8.根据权利要求7所述的改善控制栅填充缺陷的方法，其特征在于，采用化学机械研磨的方法对所述硅片表面进行研磨。
9.根据权利要求6所述的改善控制栅填充缺陷的方法，其特征在于，所述步骤A5中，形成所述控制栅绝缘层的方法包括：
步骤A51：于所述浮栅形貌外表面及所述浅沟槽隔离结构顶面形成一第一氧化硅层；
步骤A52：于所述第一氧化硅层表面形成一氮化硅层；
步骤A53：于所述氮化硅层表面形成一第二氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
