[发明专利]掩膜版及其制作方法

摘要

一种掩膜版及其制作方法，掩膜版包括：衬底，包括第一表面以及与第一表面相背的第二表面，衬底内具有贯穿衬底的多个开口，所述衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于第一表面的掩膜图形层，包括相邻的图形区和遮挡区，图形区具有至少一个贯穿掩膜图形层的通孔，开口露出图形区且每一图形区与开口相对应；保护层，位于掩膜图形层背向衬底一侧的遮挡区表面上；第一牺牲层，位于掩膜图形层和保护层之间。本发明掩膜版采用半导体工艺所制成，与传统化学刻蚀方式所制成的金属掩膜版相比，半导体工艺能够提高所述掩膜版的质量和通孔精准度，且有利于减小通孔尺寸和掩膜图形层厚度，还能防止掩膜图形层和衬底产生移位，掩膜版的质量和精准度更高。

主权项

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层包括相邻的图形区和遮挡区，所述图形区具有至少一个贯穿所述掩膜图形层的通孔，其中，所述开口露出所述图形区，且每一图形区与所述开口相对应；保护层，位于所述掩膜图形层背向所述衬底一侧的遮挡区表面上；第一牺牲层，位于所述掩膜图形层和所述保护层之间。