[发明专利]掩膜版及其制作方法

说明书

一种掩膜版及其制作方法，掩膜版包括：衬底，包括第一表面以及与第一表面相背的第二表面，衬底内具有贯穿衬底的多个开口，所述衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于第一表面的掩膜图形层，包括相邻的图形区和遮挡区，图形区具有至少一个贯穿掩膜图形层的通孔，开口露出图形区且每一图形区与开口相对应；保护层，位于掩膜图形层背向衬底一侧的遮挡区表面上；第一牺牲层，位于掩膜图形层和保护层之间。本发明掩膜版采用半导体工艺所制成，与传统化学刻蚀方式所制成的金属掩膜版相比，半导体工艺能够提高所述掩膜版的质量和通孔精准度，且有利于减小通孔尺寸和掩膜图形层厚度，还能防止掩膜图形层和衬底产生移位，掩膜版的质量和精准度更高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种掩膜版及其制作方法。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术主要分为蒸镀(Evaporation)工艺和溅镀(Sputtering)工艺两种。其中，蒸镀工艺是在基板表面形成功能膜层的主要方式，蒸镀工艺是指在真空蒸镀机(Vacuum Evaporator)中将蒸镀源(例如待镀金属、合金或化合物)加热熔化，使其呈分子或原子状态逸出，沉积至基板表面而形成固态薄膜或涂层的方法。

目前，蒸镀工艺主要采用金属掩膜版(Metal Mask)，所述金属掩膜版具有预设图案的通孔，在蒸镀工艺过程中，所述金属掩膜版固定于基板上，所述基板的待蒸镀面与蒸镀源相对，使来自所述蒸镀源的成膜材料通过所述通孔蒸镀于所述待蒸镀面，以形成预设图案的薄膜。

目前OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光显示)的金属掩膜版通常使用30μm至50μm厚的因瓦合金(INVAR，又称殷钢)并通过化学刻蚀的方法来制备，首先在因瓦合金表面涂覆光刻胶或感光干膜，通过曝光的方式将掩膜版的精细图案转移在感光膜上，再通过显影和化学刻蚀的方式制成精细金属掩膜版，通过该方法其精度通常在微米级，一般最小只能做到25μm至40μm，因此制成的金属掩膜版的质量和精准度不能很好的满足工艺需求要求。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种掩膜版及其制作方法，提高掩膜版的质量和精准度。

为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版，包括：衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层包括相邻的图形区和遮挡区，所述图形区具有至少一个贯穿所述掩膜图形层的通孔，其中，所述开口露出所述图形区，且每一图形区与所述开口相对应；保护层，位于所述掩膜图形层背向所述衬底一侧的遮挡区表面上；第一牺牲层，位于所述掩膜图形层和所述保护层之间。

相应的，本发明还提供一种掩膜版的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面；在所述第一表面上形成掩膜材料层；图形化所述掩膜材料层，形成图形区以及与所述图形区相邻的遮挡区，在所述图形区形成至少一个贯穿所述掩膜材料层的通孔，且图形化后的剩余掩膜材料层作为掩膜图形层；形成覆盖所述掩膜图形层的第一牺牲层，所述第一牺牲层还填充所述通孔；在所述遮挡区的第一牺牲层上形成保护层；形成所述保护层后，刻蚀所述衬底的第二表面，在所述衬底内形成贯穿所述衬底且露出所述图形区的多个开口，且每一开口与所述图形区相对应；形成所述开口后，以所述保护层和衬底为掩膜，去除所述图形区的第一牺牲。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：