[发明专利]氧化硅的制备方法、包含该氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池在审
| 申请号： | 201810415143.7 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN108751203A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郑相允;郑汉纳;朴哲凞;金贤撤;林炳圭 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;H01M4/48;H01M4/485;H01M10/05;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供氧化硅的制备方法、包含所述氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池。所述氧化硅的制备方法包括：将硅和二氧化硅混合并放入反应室内；降低反应室的压力以获得高真空度，同时将所述反应室内的温度升高到反应温度；以及在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应；其中所述高真空度在10‑4托到10‑1托的范围内，以及维持所述高真空度直到硅和二氧化硅的反应结束。通过所述方法可以控制氧化硅中氧的量，所以可以提高二次电池的首次效率。并且由于SiOx和锂原子之间可以进行反应同时维持SiOx结构，所以可以改善寿命特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅 二次电池 二氧化硅 高真空度 制备 负极活性材料 负极 室内 混合物反应 还原气氛 首次效率 寿命特性 反应室 锂原子 放入 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅的制备方法，所述方法包括：将硅和二氧化硅混合并放入反应室内；降低所述反应室的压力以获得高真空度，同时将所述反应室的温度升高到反应温度；以及在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应，其中所述高真空度在10‑4托到10‑1托的范围内，其中维持所述高真空度直到硅和二氧化硅的反应结束。
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