[发明专利]氧化硅的制备方法、包含该氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池

权利要求书

1.一种氧化硅的制备方法，所述方法包括：

将硅和二氧化硅混合并放入反应室内；

降低所述反应室的压力以获得高真空度，同时将所述反应室的温度升高到反应温度；以及

在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应，

其中所述高真空度在10^-4托到10^-1托的范围内，

其中维持所述高真空度直到硅和二氧化硅的反应结束。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原气氛通过能够产生还原气氛的气体形成，并且在所述反应室内的压力达到高真空度后向所述反应室内通入所述能够产生还原气氛的气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中以1标准立方厘米每分钟到1000标准立方厘米每分钟的流速向所述反应室内通入所述能够产生还原气氛的气体。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述能够产生还原气氛的气体包括从H₂、NH₃和CO所构成的组里选择的一种或多种，或者惰性气体与H₂、NH₃或CO的混合气体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原气氛通过在所述反应室中的独立容器内放入从活性炭、镁、铝、钽、钼、钙和锌所构成的组里选择的一种或多种来形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应温度在1300℃到1500℃的范围内并维持2小时到4小时。

7.根据权利要求2所述的方法，其中使所述能够产生还原气氛的气体从所述反应室的一侧连续注入并从该反应室的另一侧连续去除。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述能够产生还原气氛的气体为包含2vol％到5vol％H₂的含H₂气体。

9.一种负极活性材料，包含由权利要求1的制备方法制备的氧化硅。

10.根据权利要求9所述的负极活性材料，其中所述氧化硅为SiO_x，其中0≤x≤2。

11.根据权利要求9所述的负极活性材料，其中所述氧化硅中的硅为晶态或非晶态。

12.根据权利要求11所述的负极活性材料，其中当所述硅为晶态时，硅的晶体尺寸为300nm或更小。

13.一种负极，包含权利要求9的负极活性材料。

14.一种二次电池，包含权利要求13的负极。