[发明专利]一种太阳能硅片加工切割方法

摘要

本发明公开了一种太阳能硅片加工切割方法，包括如下步骤：将硅块置于切片机床的切割钢线上方，还需保证切割钢线与硅块相互垂直，利用切片机床控制切割钢线移动，从而能够对硅块进行切割，在切割中，需实时利用浆料嘴向硅块表面喷洒切割液，需保证切割温度始终保持在25‑100摄氏度之间，在完成切割后，利用机械手将硅片取出，待其恢复至常温后，将其置于检测平台，并在30‑36摄氏度的条件下对硅片进行检测本发明能够减少对硅块的不良影响，还能够保证在切割过程中的润滑性能，有效降低了残次品的产生，进而提高了硅块的切割质量以及效率。

主权项

1.一种太阳能硅片加工切割方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选择待切割的硅块以及切片机床，并对硅块表面进行全方位清洗，且清洗温度30‑36摄氏度，在硅块表面无残胶且中间夹缝处无异物后，即完成对硅块的清理；S2：还需将切片机床内部清理进行清理，清洗具体为喷洗处理，且喷洗的水压3‑6MPa，对其的喷洗时间为12‑15min，以去除切片机床内部的灰尘以及残留杂质，若是切片机床内部还存在杂质，则继续清理，直到其内部无杂质，从而能够保证切割的质量；S3：将S1中处理后的硅块置于S2中切片机床的切割钢线上方，并将硅块的位置进行限定，以避免其在切割过程中晃动，影响切割质量，还需保证切割钢线与硅块相互垂直，利用切片机床控制切割钢线移动，从而能够对硅块进行切割，需要对硅块是否切透进行判断，切透时线网从入线口到出线口基本成一条直线，没有一次明显出现低凹，同时可与调整对比线网对比，线网与其平行；S4：在切割中，需实时利用浆料嘴向硅块表面喷洒切割液，且切割液需实时与切割钢线接触，需保证切割温度始终保持在25‑100摄氏度之间，若是温度过高，则需对其进行降温处理，需保证一次切割成功，中间不能够停机；S5：在S3中完成切割后，切片机床自动报警，然后利用机械手将硅片取出，待其恢复至常温后，将其置于检测平台，并在30‑36摄氏度的条件下对硅片进行检测，完成检测后，将切割完成的硅片平稳放在取片车上，运输至下个工序。