[发明专利]一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法

摘要

本申请提供一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法，所述晶格失配的多结太阳能电池包括变质缓冲层，变质缓冲层包括至少两个子层，每个子层中的In组分恒定，多个子层中的In组分渐变，在相邻两个子层之间还包括一层薄的δ掺杂层，所述δ掺杂层在生长过程中，由于断开III族金属源，导致生长中断，从而在组分渐变层将绝大多数的位错限制在相邻子层的界面处后，在界面处插入一层薄的δ掺杂层，可以使得部分原本还会向上延伸的位错被阻断，进而能够针对性的增强位错阻断的效果，减少了外延层的位错密度，提高了材料的晶体质量。本发明提供的晶格失配的多结太阳能电池将组分阶变法的作用与δ掺杂层的作用结合在一起，从而提高了阻挡位错的效果。