[发明专利]一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种晶格失配的多结太阳能电池，其特征在于，至少包括：

第一子电池、第二子电池和第三子电池；

位于所述第一子电池与所述第二子电池之间的变质缓冲层；

所述变质缓冲层包括至少两个子层，所述变质缓冲层的材质为GaInAs、AlGaInAs、GaInP或AlGaInP，每个所述子层中的In组分恒定；

且，沿所述第一子电池至所述第二子电池的方向，多个所述子层中的In组分渐变；

至少一层δ掺杂层，每层所述δ掺杂层位于相邻的两个所述子层之间。

2.根据权利要求1所述的晶格失配的多结太阳能电池，其特征在于，所述δ掺杂层的材料为GaInAs、AlGaInAs、GaInP或AlGaInP中的一种。

3.根据权利要求1所述的晶格失配的多结太阳能电池，其特征在于，所述δ掺杂层的总厚度为10nm-100nm，包括端点值。

4.根据权利要求2所述的晶格失配的多结太阳能电池，其特征在于，所述δ掺杂层的掺杂类型为n型掺杂，掺杂杂质包括Si、Te或Se。

5.根据权利要求2所述的晶格失配的多结太阳能电池，其特征在于，所述δ掺杂层的掺杂类型为p型掺杂，掺杂杂质包括Zn、C、Mg或Be。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的晶格失配的多结太阳能电池，其特征在于，所述δ掺杂层的掺杂浓度等于或高于10¹⁸/m³。

7.根据权利要求2所述的晶格失配的多结太阳能电池，其特征在于，所述变质缓冲层至少包括三个子层，各子层的晶格常数均大于第一晶格常数，且各子层的晶格常数沿着所述第一子电池至所述第二子电池的方向增加；且所述三个子层中的至少一层为晶格常数大于第二晶格常数的过冲层。

8.一种晶格失配的多结太阳能电池制作方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1所述的晶格失配的多结太阳能电池，所述晶格失配的多结太阳能电池制作方法包括：

提供第一子电池；

在所述第一子电池上形成变质缓冲层和δ掺杂层，其中，所述变质缓冲层包括至少两个子层，所述变质缓冲层的材质为GaInAs、AlGaInAs、GaInP或AlGaInP，每个所述子层中的In组分恒定；且，沿所述第一子电池至所述第二子电池的方向，多个所述子层中的In组分渐变；所述δ掺杂层位于相邻的两个所述子层之间；

在所述变质缓冲层的最外层背离所述第一子电池的一侧形成第二子电池；

在所述第二子电池上形成第三子电池。

9.根据权利要求8所述的晶格失配的多结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述在所述第一子电池上形成变质缓冲层和δ掺杂层，具体包括：

在所述第一子电池上形成一层所述变质缓冲层的子层；

在所述子层的表面形成一层δ掺杂层；

在所述δ掺杂层上形成另一层子层；

重复所述形成一层δ掺杂层和形成另一层子层的步骤，以在所述第一子电池上形成变质缓冲层和δ掺杂层。

10.根据权利要求9所述的晶格失配的多结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述在所述子层的表面形成一层δ掺杂层，采用外延生长工艺形成δ掺杂层，具体包括：

A：往外延生长设备中通入V族源和III族金属源，生长形成非故意掺杂层；

B：保持所述V族源持续通入，断开所述III族金属源，通入掺杂剂3s～30s；

重复步骤A和步骤B多个周期。

11.根据权利要求10所述的晶格失配的多结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述非故意掺杂层的单层厚度范围为2nm-20nm，包括端点值。

12.根据权利要求10所述的晶格失配的多结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述V族源为AsH₃或PH₃；所述III族金属源为TMGa、TMIn或TMAl。