[发明专利]硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法

摘要

本发明提供了一种硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法，硅基雪崩光电探测器阵列的器件主体结构为在SiO2/Si复合衬底上形成有外延Si层的晶片结构，该晶片结构是通过键合技术而形成的外延Si/SiO2/Si材料结构，基于该晶片结构的硅基雪崩光电探测器阵列包括：SiO2/Si复合衬底；雪崩光电探测器(APD)单元，其在SiO2/Si复合衬底上呈阵列状排布；沟槽结构，其围绕APD单元形成；其中，沟槽结构的侧壁面和底部均淀积高反介质膜。由此，通过沟槽结构的高反介质膜阻挡邻近APD单元间的侧向光串扰，通过基于SiO2/Si复合衬底的SiO2键合界面阻挡二次光子经由衬底进入邻近APD，从而有效截断了APD单元间的串扰路径，不仅APD阵列的整体性能提升，而且有利于大面阵的APD阵列的紧凑集成而提高量产性。

主权项

1.一种硅基雪崩光电探测器阵列，包括：SiO2/Si复合衬底；APD单元，其在所述SiO2/Si复合衬底上呈阵列状排布；沟槽结构，其围绕所述APD单元形成；其中，所述沟槽结构的侧壁面和底部均淀积高反介质膜。