[发明专利]硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法

权利要求书

1.一种硅基雪崩光电探测器阵列，包括：

SiO₂/Si复合衬底，其基于外延Si/SiO₂/Si材料结构；

APD单元，其形成于所述外延Si/SiO₂/Si材料结构中的外延Si层，且在所述SiO₂/Si复合衬底上呈阵列状排布；

沟槽结构，其形成于所述外延Si层，且围绕着所述APD单元；

其中，所述沟槽结构的侧壁面和底部均淀积高反介质膜，所述外延Si/SiO₂/Si材料结构通过键合技术而形成。

2.根据权利要求1所述的硅基雪崩光电探测器阵列，其中，

所述沟槽结构的底部与所述SiO₂/Si复合衬底接触。

3.根据权利要求2所述的硅基雪崩光电探测器阵列，其中，

所述沟槽结构在由所述高反介质膜构成的沟槽空间填充有绝缘介质。

4.根据权利要求2所述的硅基雪崩光电探测器阵列，其中，

所述APD单元包括自下而上形成的吸收层、倍增层、高掺杂电极接触层、减反射膜层。

5.根据权利要求4所述的硅基雪崩光电探测器阵列，其中，

所述吸收层是本征π外延Si层，所述倍增层是P型Si层，所述高掺杂电极接触层是N⁺型Si层。

6.根据权利要求5所述的硅基雪崩光电探测器阵列，其中，

所述N⁺型Si层的面积在俯视观察时大于所述P型Si层的倍增层面积，由此在所述N⁺型Si层的外围附近和所述P型Si层的外围附近形成有N型Si的保护环。

7.根据权利要求6所述的硅基雪崩光电探测器阵列，其中，

在所述APD单元以与所述保护环具有间距的方式围绕所述保护环形成有P⁺截止环。

8.根据权利要求7所述的硅基雪崩光电探测器阵列，其中，

在所述P⁺截止环上形成有P电极，在所述N⁺型Si层上以围着所述减反射膜层而向上延伸的方式形成有N电极。