[发明专利]一种多频带超薄太赫兹强吸收体在审
| 申请号： | 201810396596.X | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108666764A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 白晋军;张曙升;葛梅兰;孙晓东;邢海英;常胜江 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多频带超薄太赫兹强吸收体。所述的多频带超薄太赫兹强吸收体是由厚度为t1的金属薄膜层1和厚度为t2的半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层是由呈正方晶格阵列排列的半导体圆柱体构成，所述的半导体圆柱体高度为t2，半径为r，周期为p。本发明所提出的多带超薄太赫兹强吸收体具有厚度超薄，多频带，吸收率高，易于集成等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 多频带 强吸收 半导体介质层 半导体 吸收率 金属薄膜层 阵列排列 晶格 叠加 | ||
【主权项】：
1.一种多频带超薄太赫兹强吸收体，其特征在于所述多频带超薄太赫兹强吸收体由金属薄膜层1和半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层是由呈正方晶格阵列排列的半导体圆柱体构成。
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