[发明专利]一种多频带超薄太赫兹强吸收体在审
| 申请号： | 201810396596.X | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108666764A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 白晋军;张曙升;葛梅兰;孙晓东;邢海英;常胜江 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多频带 强吸收 半导体介质层 半导体 吸收率 金属薄膜层 阵列排列 晶格 叠加 | ||
【权利要求书】：
1.一种多频带超薄太赫兹强吸收体，其特征在于所述多频带超薄太赫兹强吸收体由金属薄膜层1和半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层是由呈正方晶格阵列排列的半导体圆柱体构成。
2.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述金属薄膜层的材料为贵金属。
3.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述金属薄膜层的厚度t1大于入射太赫兹波的趋肤深度。
4.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述半导体介质层的材料为半导体。
5.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述半导体介质层的厚度t2为2-7μm。
6.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述半导体圆柱体的半径r为20-37μm。
7.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述半导体圆柱体的周期为50-80μm。
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