[发明专利]一种低激活电压阻变器件的制备方法有效
| 申请号： | 201810396055.7 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108447987B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 段伟杰;裴艳丽;饶畅 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及信息存储的技术领域，更具体地，涉及一种低激活电压阻变器件的制备方法。其主要步骤为：1)对导电衬底进行表面清洗和预处理后待用；2)随后，在导电衬底上生长并热处理后得到介质层S1；3)配制介质层S2的前驱体溶液A2，并加入腐蚀剂得到混合前驱体溶液A3；4)将混合前驱体溶液A3旋涂在介质层S1上并热处理得到复合介质层S2(1)/S1；5)在复合介质层S2(1)/S1上蒸镀顶电极，完成制备。本发明易于实现，可重复性好，成本低廉，在较低的温度和常压条件下下即可制备出具有低激活电压的阻变器件。该发明为新型半导体存储器件的设计和性能优化提供了新途径，并且在半导体材料的电学改性、定向调控方面具有重要前景。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 激活电压 阻变器件 介质层 混合前驱体溶液 复合介质层 热处理 导电 衬底 半导体材料 预处理 前驱体溶液 新型半导体 表面清洗 常压条件 存储器件 定向调控 可重复性 信息存储 性能优化 腐蚀剂 顶电极 新途径 电学 改性 旋涂 蒸镀 配制 生长 | ||
【主权项】：
1.一种低激活电压阻变器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1)、对导电衬底进行表面清洗和预处理后待用；/n步骤2)、随后，在导电衬底上生长并热处理后得到介质层S1；/n步骤3)、配制介质层S2的前驱体溶液A2，并加入腐蚀剂得到混合前驱体溶液A3；/n步骤4)、将混合前驱体溶液A3旋涂在介质层S1上并热处理得到复合介质层；/n步骤5)、在复合介质层上蒸镀顶电极，完成制备；/n所述的步骤2)中所述介质层S1为In
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