[发明专利]一种低激活电压阻变器件的制备方法有效
| 申请号： | 201810396055.7 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108447987B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 段伟杰;裴艳丽;饶畅 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 激活电压 阻变器件 介质层 混合前驱体溶液 复合介质层 热处理 导电 衬底 半导体材料 预处理 前驱体溶液 新型半导体 表面清洗 常压条件 存储器件 定向调控 可重复性 信息存储 性能优化 腐蚀剂 顶电极 新途径 电学 改性 旋涂 蒸镀 配制 生长 | ||
1.一种低激活电压阻变器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)、对导电衬底进行表面清洗和预处理后待用；
步骤2)、随后，在导电衬底上生长并热处理后得到介质层S1；
步骤3)、配制介质层S2的前驱体溶液A2，并加入腐蚀剂得到混合前驱体溶液A3；
步骤4)、将混合前驱体溶液A3旋涂在介质层S1上并热处理得到复合介质层；
步骤5)、在复合介质层上蒸镀顶电极，完成制备；
所述的步骤2)中所述介质层S1为In2O3、InOx中的一种或几种；
所述的步骤3)中所述介质层S2为Al2O3；
所述的步骤3)中所述腐蚀剂为NH3·H2O和HNO3。
2.根据权利要求1所述的一种低激活电压阻变器件的制备方法，其特征在于：
所述的步骤2)中所述热处理的温度为100-300℃。
3.根据权利要求1所述的一种低激活电压阻变器件的制备方法，其特征在于：
所述的步骤3)中所述前驱体溶液A2中，溶剂为H2O2。
4.根据权利要求1所述的一种低激活电压阻变器件的制备方法，其特征在于：
所述的步骤3)中所述前驱体溶液A2的浓度为0.05mol/L-0.3mol/L。
5.根据权利要求1所述的一种低激活电压阻变器件的制备方法，其特征在于：
所述的步骤4)中所述热处理的温度为100-200℃。
6.根据权利要求1所述的一种低激活电压阻变器件的制备方法，其特征在于：
所述的步骤4)中所述复合介质层的厚度为10-40nm。
7.根据权利要求1所述的一种低激活电压阻变器件的制备方法，其特征在于：
所述的步骤4)中所述复合介质层，为介质层S2与部分介质层S1形成的混合层；
步骤5)中所述顶电极为Au、Ag、Ni、Al、Pt中的一种或几种。
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