[发明专利]一种提高量子效率的CMOS图像传感器

摘要

本发明公开了一种提高量子效率的CMOS图像传感器，包括位于衬底上的转移晶体管、PN光电二极管和石墨烯层，所述转移晶体管包括栅极、侧墙、栅介质层、漏区和源区，所述侧墙围绕在所述栅极周围，所述栅介质层位于所述侧墙和栅极的下方，所述源区和漏区分别位于所述栅介质层之下，且在垂直方向上位于栅极的两侧；所述PN光电二极管与所述转移晶体管的源区相连接，所述栅介质层延伸至覆盖所述PN光电二极管的上表面，所述PN光电二极管在远离衬底的方向依次形成N型掺杂区和P型掺杂区，所述石墨烯层覆盖在PN光电二极管上方的栅介质层上。本发明提供的一种提高量子效率的CMOS图像传感器，减少了光生载流子在中性区的复合，提高了短波长入射光的量子效率。

主权项

1.一种提高量子效率的CMOS图像传感器，其特征在于，包括位于衬底上的转移晶体管、PN光电二极管和石墨烯层，所述转移晶体管包括栅极、侧墙、栅极介质层、漏区和源区，所述侧墙围绕在所述栅极周围，所述栅介质层位于所述侧墙和栅极的下方，所述源区和漏区分别位于所述栅介质层之下，且在垂直方向上位于栅极的两侧；所述PN光电二极管与所述转移晶体管的源区相连接，所述栅介质层延伸至覆盖所述PN光电二极管的上表面，所述PN光电二极管在远离衬底的方向依次形成N型掺杂区和P型掺杂区，所述石墨烯层覆盖在PN光电二极管上方的栅介质层上，当所述CMOS图像传感器处于工作状态时，所述石墨烯层加负偏压。