[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，通过在有源层两端的源漏极接触区内分别设置接触区过孔，在缓冲层对应于所述接触区过孔下方形成缓冲层凹槽，并使缓冲层凹槽和有源层之间在接触区过孔处形成底切结构，从而使得透明导电层在接触区过孔处发生断裂，后续使得源漏极穿过绝缘层过孔和接触区过孔在缓冲层凹槽内从下方与有源层的源漏极接触区相接触，避开了7Mask技术中多晶硅与氧化铟锡接触而出现的肖特基接触势垒，使得源漏极从下方直接与有源层的源漏极接触区形成欧姆接触，提高了TFT器件的电子迁移率。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，并在衬底基板(10)上形成由下至上依次设置的缓冲层(20)、有源层(30)、栅极绝缘层(40)、层间绝缘层(60)及平坦层(70)；所述有源层(30)具有位于两端的源漏极接触区(31)及位于中间的沟道区(32)，所述有源层(30)在两端的源漏极接触区(31)上分别设有一接触区过孔(35)；步骤S2、在所述平坦层(70)上对应于所述接触区过孔(35)的上方图案化形成光阻过孔(75)，以所述平坦层(70)为遮蔽层，对层间绝缘层(60)、栅极绝缘层(40)及缓冲层(20)进行第一次蚀刻，在所述层间绝缘层(60)和栅极绝缘层(40)上形成与接触区过孔(35)连通的绝缘层过孔(65)，在所述缓冲层(20)上形成与接触区过孔(35)连通的缓冲层凹槽(25)；步骤S3、对所述缓冲层(20)进行第二次蚀刻，使得缓冲层(20)在缓冲层凹槽(25)处被横向蚀刻，使缓冲层凹槽(25)和有源层(30)之间在接触区过孔(35)处形成底切结构；步骤S4、在所述层间绝缘层(60)上方依次沉积形成透明导电层(7)和金属层(8)，所述透明导电层(7)在接触区过孔(35)处发生断裂，所述金属层(8)连续伸入缓冲层凹槽(25)内并填充缓冲层凹槽(25)，对所述透明导电层(7)和金属层(8)进行图案化处理，由金属层(8)形成源漏极(81)及触控线(82)，由透明导电层(7)形成像素电极(71)，所述源漏极(81)通过缓冲层凹槽(25)从下方与所述有源层(30)的源漏极接触区(31)相接触。