[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，通过在有源层两端的源漏极接触区内分别设置接触区过孔，在缓冲层对应于所述接触区过孔下方形成缓冲层凹槽，并使缓冲层凹槽和有源层之间在接触区过孔处形成底切结构，从而使得透明导电层在接触区过孔处发生断裂，后续使得源漏极穿过绝缘层过孔和接触区过孔在缓冲层凹槽内从下方与有源层的源漏极接触区相接触，避开了7Mask技术中多晶硅与氧化铟锡接触而出现的肖特基接触势垒，使得源漏极从下方直接与有源层的源漏极接触区形成欧姆接触，提高了TFT器件的电子迁移率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示器等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括层叠设置于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。

其中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管与传统非晶硅(A-Si)薄膜晶体管相比，虽然制作工艺复杂，但因其具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED显示面板的制作，低温多晶硅被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。

鉴于低温多晶硅技术的有源矩阵朝着不断缩小尺寸方向发展，随之而来的光刻技术进步导致了生产设备成本的激增。常见的导入内嵌式触控结构(In Cell Touch)是将具有触控功能的膜层穿插在正常显示的阵列制程中，为了满足显示与触控的功能同时可用，每一层都需要完成光罩、蚀刻形成一定的图案。导入内嵌式触控阵列基板需要使用12道光罩(mask)工艺进行制作，这样增加了阵列工艺中曝光机的使用，进而增加了阵列制程的复杂性，致使阵列基板整体的产能降低，为了降低制造成本，本行业内发明了9道光罩工艺进行阵列基板的制作，但是这还是不能满足对阵列基板日益增加的产能的需求。

在9Mask技术的基础上，通过将层间绝缘层(ILD)层和平坦层(PLN)共用一道光罩，并使公共电极层(BITO)与像素电极层(TITO)位置交换后，源漏极(SD)、触控线与像素电极共用一道半色调光罩(Half Tone Mask，HTM)制作形成，可省略两道Mask工艺，实现7道光光罩工艺技术，制作具有In Cell Touch功能的LTPS低温多晶硅阵列基板。但是7Mask工艺中，源漏极与像素电极共用光罩后，源漏极必须通过氧化铟锡(ITO)才能与有源层的源漏极接触区发生间接接触，多晶硅与氧化铟锡接触而出现的肖特基接触势垒，会产生限流效应，TFT器件迁移率大幅下降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，避开了7Mask技术中多晶硅与氧化铟锡接触而出现的肖特基接触势垒，使得源漏极从下方直接与有源层的源漏极接触区形成欧姆接触，提高TFT器件的电子迁移率。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板，避开了7Mask技术中多晶硅与氧化铟锡接触而出现的肖特基接触势垒，使得源漏极从下方直接与有源层的源漏极接触区形成欧姆接触，提高TFT器件的电子迁移率。