[发明专利]集成扇出型封装及其形成方法在审
| 申请号： | 201810386708.3 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109585395A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;陈岱璋;陆湘台;刘献文;林志贤;洪士庭;庄博尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开多种集成扇出型封装及其形成方法。一种集成扇出型封装包括第一半导体芯片、多个集成扇出型穿孔、包封层及重布线层结构。所述第一半导体芯片包括散热层，且所述散热层覆盖第一半导体芯片的第一表面的至少百分之三十。所述集成扇出型穿孔位于第一半导体芯片旁边。所述包封层包封集成扇出型穿孔。所述重布线层结构位于第一半导体芯片的第一侧且热连接到第一半导体芯片的散热层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 扇出型封装 散热层 扇出型 穿孔 重布线层 包封层 第一表面 热连接 包封 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种集成扇出型封装，其特征在于，包括：第一半导体芯片，包括散热层，所述散热层覆盖所述第一半导体芯片的第一表面的至少百分之三十；多个集成扇出型穿孔，位于所述第一半导体芯片旁边；包封层，包封所述多个集成扇出型穿孔；以及重布线层结构，位于所述第一半导体芯片的第一侧且热连接到所述第一半导体芯片的所述散热层。
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