[发明专利]集成扇出型封装及其形成方法

说明书

本发明实施例公开多种集成扇出型封装及其形成方法。一种集成扇出型封装包括第一半导体芯片、多个集成扇出型穿孔、包封层及重布线层结构。所述第一半导体芯片包括散热层，且所述散热层覆盖第一半导体芯片的第一表面的至少百分之三十。所述集成扇出型穿孔位于第一半导体芯片旁边。所述包封层包封集成扇出型穿孔。所述重布线层结构位于第一半导体芯片的第一侧且热连接到第一半导体芯片的散热层。

技术领域

本发明实施例是涉及一种集成扇出型封装及其形成方法。

背景技术

近年来，由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度持续提高，半导体行业已经历了快速成长。在很大程度上，集成密度的这种提高来自于最小特征大小(minimum feature size)的连续减小，这使得在给定区域中能够集成有更多组件。

与先前的封装相比，这些较小的电子组件也需要占据较小面积的较小的封装。半导体封装类型的实例包括方形扁平封装(quad flat packages，QFP)、针格阵列(pin gridarray，PGA)封装、球格阵列(ball grid array，BGA)封装、倒装芯片(flip chip，FC)、三维集成电路(three-dimensional integrated circuit，3DIC)、芯片级封装(wafer levelpackage，WLP)及叠层封装(package on package，PoP)装置等。目前，集成扇出型封装因其紧凑性(compactness)而变得越来越流行。然而，散热(heat dissipation)是各种封装的挑战。

发明内容

根据本发明的一些实施例，一种集成扇出型封装包括第一半导体芯片、多个集成扇出型穿孔、包封层及重布线层结构。所述第一半导体芯片包括散热层，且所述散热层覆盖第一半导体芯片的第一表面的至少百分之三十。所述集成扇出型穿孔位于第一半导体芯片旁边。所述包封层包封集成扇出型穿孔。所述重布线层结构位于第一半导体芯片的第一侧且热连接到第一半导体芯片的散热层。

附图说明

图1A到图1F是根据一些实施例的一种形成集成扇出型封装的方法的剖视图。

图2是根据一些实施例的集成扇出型封装的简化俯视图。

图3是根据一些实施例的集成扇出型封装的散热层的俯视图。

图4是根据替代实施例的集成扇出型封装的散热层的俯视图。

图5到图8是根据替代实施例的集成扇出型封装的剖视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。以下出于以简化方式传达本公开内容的目的来阐述组件及排列形式的具体实例。当然，这些仅为实例而并非旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第二特征形成在第一特征“之上”或第一特征“上”可包括其中第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第二特征与第一特征之间可形成附加特征、从而使得所述第二特征与所述第一特征可能不直接接触的实施例。另外，可使用相同的参考编号及/或字母来指代本公开的各种实例中的相同或相似的部分。重复使用参考编号是出于简明及清晰的目的，而其自身并不表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

此外，本文中可能使用例如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部的(lower)”、“位于…上(on)”、“位于…之上(over)”、“在…上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语以便于阐述图中所示的一个组件或特征与另一(其他)组件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的取向外还囊括装置在使用或操作中的不同取向。设备可具有另外取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样相应地进行解释。