[发明专利]一种检查半导体器件设计规则的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201810381493.6 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110400788B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙晓峰;秦仁刚;盛拓 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种检查半导体器件设计规则的测试结构及测试方法。所述测试结构包括若干测试单元，所述测试结构具有若干测试单元，各测试单元包括：至少一个掺杂区；若干第一电连接件，位于所述掺杂区的下方；若干第二电连接件，位于所述掺杂区的上方；各所述掺杂区分别与一所述第一电连接件和一所述第二电连接件串联连接；其中，不同的所述测试单元的掺杂区的尺寸不同，通过测量并判断各所述测试单元的电阻是否与按半导体器件设计规则预期的电阻相符，确定与按半导体器件设计规则预期的电阻相符的测试单元的掺杂区的最小尺寸为所述半导体器件设计规则的最小尺寸。通过所述测试结构和方法可以把掺杂区最小尺寸的设计规则确定下来。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检查 半导体器件 设计 规则 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检查半导体器件设计规则的测试结构，其特征在于，所述测试结构具有若干测试单元，各测试单元包括：至少一个掺杂区；若干第一电连接件，位于所述掺杂区的下方；若干第二电连接件，位于所述掺杂区的上方；各所述掺杂区分别与一所述第一电连接件和一所述第二电连接件串联连接；其中，不同的所述测试单元的掺杂区的尺寸不同，通过测量并判断各所述测试单元的电阻是否与按半导体器件设计规则预期的电阻相符，确定与按半导体器件设计规则预期的电阻相符的测试单元的掺杂区的最小尺寸为所述半导体器件设计规则的最小尺寸。
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