[发明专利]一种半导体白光发光二极管有效
| 申请号： | 201810379202.X | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108598227B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 王星河 | 申请（专利权）人： | 黎明职业大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08 |
| 代理公司： | 11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 胡剑辉<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 362018福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体白光发光二极管，其特征在于所述V‑pits具有第一V‑pits和第二V‑pits，第一V‑pits具有非掺杂的ZnO量子点及其上方的CdSySe1‑y/ZnO核壳结构纳米柱发出红光；第二V‑pits具有非掺杂的ZnO量子点及其上方的ZnSzSe1‑z/ZnO核壳结构纳米柱发出绿光；第一V‑pits和第二V‑pits之间的多量子阱发出蓝光；从而形成红光、绿光和蓝光混合的白光发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 白光发光二极管 核壳结构 非掺杂 量子点 纳米柱 红光 蓝光 绿光 半导体 多量子阱 | ||
【主权项】：
1.一种半导体白光发光二极管，依次包括衬底、第一导电型半导体、多量子阱、在多量子阱内成型的多个V形坑(V-pits)和第二导电型半导体，其特征在于：多个所述V形坑(V-pits)由多组相邻设置的第一V形坑和第二V形坑组成，第一V形坑发出红光，其内具有非掺杂的ZnO量子点、以及生长在ZnO量子点上方的CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱，其中，CdSySe1-y/ZnO核壳结构纳米柱的S组分0≤y≤1；第二V形坑发出绿光，其内具有非掺杂的ZnO量子点、以及生长在ZnO量子点上方的ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱，其中，ZnSzSe1-z/ZnO核壳结构纳米柱的S组分0≤z≤1；第一V形坑和第二V形坑之间具有发出蓝光的多量子阱；从而形成红光、绿光和蓝光混合的白光发光二极管。/n
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