[发明专利]一种基于多级存储型相变存储器的读写方法及系统有效
| 申请号： | 201810378043.1 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108665925B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 雷鑑铭;刘黛眉;毛奕陶 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于多级存储型相变存储器的读写方法及系统，属于相变存储器的读写控制技术领域。读写方法包括读方法和写方法，采用两个具有多级存储能力的相变存储单元构成读写基本单位；基于其两个相变存储单元的相对阻值表达存储的2比特数据；读方法用于实现从读写基本单位读取数据，写方法用于实现向读写基本单位写入数据。读写系统包括选通电路、读驱动电路、读写基本单位、读电路、数据输出电路、写操作判断电路、写驱动电路。本发明的目的在于，基于相变存储单元的多级存储能力，使用读写基本单位中相变单元的相对阻值表达数据，从而在数据存储密度不变的情况下，显著减少写操作的执行次数，提高读写效率，实现相变存储器的低功耗读写。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多级 存储 相变 存储器 读写 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种基于多级存储型相变存储器的读写方法，其特征在于，包括读方法和写方法，读写方法均采用两个具有多级存储能力的相变存储单元构成读写基本单位；所述读写基本单位基于其两个相变存储单元的相对阻值表达存储的2比特数据，实现存储功能；所述两个相变存储单元的相对阻值是指两个相变存储单元的稳态阻值的差值；一个相变存储单元的稳态阻值数量为三个或三个以上；所述读方法用于实现从读写基本单位读取数据，所述写方法用于实现向读写基本单位写入数据。
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