[发明专利]一种基于多级存储型相变存储器的读写方法及系统

权利要求书

1.一种基于多级存储型相变存储器的读写方法，其特征在于，包括读方法和写方法，读写方法均采用两个具有多级存储能力的相变存储单元构成读写基本单位；所述读写基本单位基于其两个相变存储单元的相对阻值表达存储的2比特数据，实现存储功能；所述两个相变存储单元的相对阻值是指两个相变存储单元的稳态阻值的差值；一个相变存储单元的稳态阻值数量为三个或三个以上；

所述读方法用于实现从读写基本单位读取数据，所述写方法用于实现向读写基本单位写入数据；

所述读方法包括如下步骤：

D1.选通读写基本单位中的一个相变存储单元，读取其状态值，即第一状态值；

D2.选通读写基本单位中的另一个相变存储单元，读取其状态值，即第二状态值；

D3.将所述第一状态值和所述第二状态值输入数据输出电路；

D4.数据输出电路根据所述第一状态值和所述第二状态值得到状态组合，根据所述状态组合输出对应的数据，其中数据输出电路根据所述相对阻值定义了状态组合与数据之间的关系；

所述写方法包括如下步骤：

X1.选通读写基本单位中的一个相变存储单元，读取其状态值，即第一状态值；

X2.选通读写基本单位中的另一个相变存储单元，读取其状态值，即第二状态值；

X3.将所述第一状态值、所述第二状态值、待写入的数据、外部写使能同时输入写操作判断电路；

X4.写操作判断电路判断需要进行写操作的相变存储单元及写操作的类型，输出控制信号；

X5.控制信号控制选通电路选通需要进行写操作的相变存储单元，并控制写驱动电路对该相变存储单元施加相应写操作类型的写激励；

X6.该相变存储单元响应写激励，进行写操作，写入数据。

2.如权利要求1所述的一种基于多级存储型相变存储器的读写方法，其特征在于，步骤D1具体为：

选通电路接收外部地址信号，选通读写基本单位中的一个相变存储单元；读驱动电路接收外部读使能，生成脉冲电流，对选通的相变存储单元施加读激励；选通的相变存储单元输出读激励响应到读电路，读电路读得选通的相变存储单元的状态值，即第一状态值；

步骤D2具体为：

选通电路选通读写基本单位中的另一个相变存储单元；读驱动电路接收外部读使能，生成脉冲电流，对选通的另一个相变存储单元施加读激励；选通的另一个相变存储单元输出读激励响应到读电路，读电路读得选通的另一个相变存储单元的状态值，即第二状态值。

3.如权利要求1所述的一种基于多级存储型相变存储器的读写方法，其特征在于，步骤X1具体为：

选通电路接收地址信号，选通读写基本单位中的一个相变存储单元；读驱动电路接收外部读使能，生成脉冲电流，对选通的相变存储单元施加读激励；选通的相变存储单元输出读激励响应到读电路，读电路读得选通的相变存储单元的状态值，即第一状态值；

步骤X2具体为：

选通电路选通读写基本单位中的另一个相变存储单元；读驱动电路接收外部读使能，生成脉冲电流，对选通的另一个相变存储单元施加读激励；选通的另一个相变存储单元输出读激励响应到读电路，读电路读得选通的另一个相变存储单元的状态值，即第二状态值。