[发明专利]一种抗衰减多晶硅片

摘要

本发明提供了一种抗衰减多晶硅片，属于机械技术领域。它解决了现有多晶硅片性能易衰减的问题。本抗衰减多晶硅片，包括硅片主体，其特征在于，硅片主体呈矩形板状结构，且由下往上依次包括钢化玻璃层一、聚氟乙烯复合膜、N型硅片、导通层、P型硅片和钢化玻璃层二，硅片主体的外周边设置有保护边框，保护边框的一侧具有接线盒，接线盒内设置有第一转接头、第二转接头、第一输出电极和第二输出电极，第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上。保护边框，即能对硅片主体进行保护，避免受磕碰损坏，同时能够对第一电极和第二电极进行辅助定位，并使接线更加方便，安装时省时省力，避免多晶硅片受损，降低多晶硅片的衰减。

主权项

1.一种抗衰减多晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于，所述硅片主体(1)呈矩形板状结构，且由下往上依次包括钢化玻璃层一(11)、聚氟乙烯复合膜(12)、N型硅片(13)、导通层(14)、P型硅片(15)和钢化玻璃层二(16)，所述聚氟乙烯复合膜(12)通过EVA溶胶固连在N型硅片(13)的底面上，所述钢化玻璃层一(11)通过EVA溶胶固连在聚氟乙烯复合膜(12)的底面上，所述钢化玻璃层二(16)通过EVA溶胶固连在P型硅片(15)的顶面上，所述P型硅片(15)的侧面连接有第一电极(9)，所述N型硅片(13)的侧面连接有第二电极(10)，所述硅片主体(1)的外周边设置有保护边框(2)，所述保护边框(2)的一侧具有接线盒(4)，所述接线盒(4)内设置有第一转接头(5)、第二转接头(6)、第一输出电极(7)和第二输出电极(8)，所述第一电极(9)和第二电极(10)均垂直穿插在保护边框(2)上，且第一电极(9)通过第一转接头(5)和第一输出电极(7)相连通，第二电极(10)通过第二转接头(6)与第二输出电极(8)相连通。