[发明专利]一种抗衰减多晶硅片

权利要求书

1.一种抗衰减多晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于，所述硅片主体(1)呈矩形板状结构，且由下往上依次包括钢化玻璃层一(11)、聚氟乙烯复合膜(12)、N型硅片(13)、导通层(14)、P型硅片(15)和钢化玻璃层二(16)，所述聚氟乙烯复合膜(12)通过EVA溶胶固连在N型硅片(13)的底面上，所述钢化玻璃层一(11)通过EVA溶胶固连在聚氟乙烯复合膜(12)的底面上，所述钢化玻璃层二(16)通过EVA溶胶固连在P型硅片(15)的顶面上，所述P型硅片(15)的侧面连接有第一电极(9)，所述N型硅片(13)的侧面连接有第二电极(10)，所述硅片主体(1)的外周边设置有保护边框(2)，所述保护边框(2)的一侧具有接线盒(4)，所述接线盒(4)内设置有第一转接头(5)、第二转接头(6)、第一输出电极(7)和第二输出电极(8)，所述第一电极(9)和第二电极(10)均垂直穿插在保护边框(2)上，且第一电极(9)通过第一转接头(5)和第一输出电极(7)相连通，第二电极(10)通过第二转接头(6)与第二输出电极(8)相连通。

2.根据权利要求1所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述保护边框(2)为矩形框，包括框杆一(21)、框杆二(22)、框杆三(23)和框杆四(24)，所述框杆二(22)的左端固连在框杆一(21)的上端，所述框杆四(24)的左端固连在框杆二(22)的下端，所述框杆三(23)的上端可拆卸连接在框杆二(22)的右端，且框杆三(23)的下端可拆卸连接在框杆四(24)的右端，所述框杆三(23)具有用于穿插第一电极(9)的第一定位孔(231)和用于穿插第二电极(10)的第二定位孔(232)，所述接线盒(4)可拆卸连接在框杆三(23)上。

3.根据权利要求2所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述框杆三(23)的外侧壁具有向外凸出的弹性插接件(235)，所述接线盒(4)具有用于与弹性插接件(235)相配合的插接孔(41)，所述插接孔(41)的一侧开口位于接线盒(4)与框杆三(23)相抵靠的内壁面上，插接孔(41)的另一侧开口位于接线盒(4)的底面上。

4.根据权利要求3所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述第二转接头(6)包括接头主体二(61)，所述接头主体二(61)的前端具有用于插入第二电极(10)的开口，所述第二输出电极(8)连接在接头主体二(61)的后端，且由接线盒(4)的底面穿出，所述接头主体二(61)呈管状，且接头主体二(61)的后端底面具有向下开口的通孔二(611)，具有接头主体二(61)内设置有通过扭簧二(62)连接的转板二(63)，当第二电极(10)插在接头主体二(61)内时，转板二(63)在第二电极(10)作用下，转板二(63)的后端底面抵靠在弹性插接件(235)的顶面上。

5.根据权利要求4所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述转板二(63)的顶面上设置有压块二(64)，所述第二电极(10)包括杆状的电极主体二(101)和制为球状的球头二(102)，所述球头二(102)的直径大于电极主体二(101)的直径。

6.根据权利要求5所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述第一转接头(5)包括接头主体一(51)，所述接头主体一(51)的前端具有用于插入第一电极(9)的开口，所述第一输出电极(7)连接在接头主体一(51)的后端，且由接线盒(4)的底面穿出，所述接头主体一(51)呈管状，且接头主体一(51)的后端底面具有向下开口的通孔一(511)，具有接头主体一(51)内设置有通过扭簧一(52)连接的转板一(53)，当第一电极(9)插在接头主体一(51)内时，转板一(53)的后端穿出通孔一(511)，所述转板一(53)的顶面上设置有压块(64)，所述第一电极(9)包括杆状的电极主体一(91)和制为球状的球头一(92)，所述球头一(92)的直径大于电极主体一(91)的直径。

7.根据权利要求1所述的抗衰减多晶硅片，其特征在于，所述框杆三(23)顶面具有向外侧延伸的防护板(236)，所述接线盒(4)的顶面抵靠在防护板(236)的底面上。