[发明专利]一种蓝宝石晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201810375762.8 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108500823A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 左洪波;杨鑫宏;李铁;阎哲华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00;B24B37/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种蓝宝石晶片的加工方法，属于蓝宝石加工技术领域，主要工艺过程包括：(1)晶棒定向切片；(2)超声清洗；(3)晶片减薄；(4)超声清洗；(5)退火；(6)边缘倒角；(7)CMP抛光。本发明针对蓝宝石晶片在研磨时产生表面损伤层，影响到器件性能以及后期芯片碎裂、失效，以及采用钻石液粗抛的方式去除损伤层的综合加工时间长、成本高等问题。提出采用减薄机对晶片进行减薄、精加工，大大缩短加工周期，提高晶片加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石晶片 超声清洗 加工 退火 加工技术领域 表面损伤层 蓝宝石 碎裂 边缘倒角 工艺过程 加工周期 晶片加工 晶片减薄 器件性能 研磨 抛光 减薄机 损伤层 精加工 切片 粗抛 减薄 晶棒 晶片 去除 钻石 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种蓝宝石晶片加工方法，其特征在于加工过程包括7个步骤：(1) 晶棒定向切片；(2) 超声清洗；(3) 晶片减薄；(4) 超声清洗；(5)退火；(6) 边缘倒角；(7) CMP抛光；具体为：多线切割蓝宝石晶棒时，根据晶片对晶向的要求调整切割角度，使用多线切割机对晶棒进行切片；采用超声清洗机清洗晶片30~60min甩干；晶片减薄采用减薄机对晶片进行双面减薄加工及双面精加工；超声清洗机清洗晶片30~60min甩干；将蓝宝石晶片放入退火炉内进行退火处理；使用倒角机进行晶片边缘倒角加工；采用硅溶胶加水用双面抛光机对晶片进行双面抛光得到蓝宝石晶片成品。
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