[发明专利]一种蓝宝石晶片的加工方法

权利要求书

1.一种蓝宝石晶片加工方法，其特征在于加工过程包括7个步骤：(1) 晶棒定向切片；(2) 超声清洗；(3) 晶片减薄；(4) 超声清洗；(5)退火；(6) 边缘倒角；(7) CMP抛光；具体为：多线切割蓝宝石晶棒时，根据晶片对晶向的要求调整切割角度，使用多线切割机对晶棒进行切片；采用超声清洗机清洗晶片30~60min甩干；晶片减薄采用减薄机对晶片进行双面减薄加工及双面精加工；超声清洗机清洗晶片30~60min甩干；将蓝宝石晶片放入退火炉内进行退火处理；使用倒角机进行晶片边缘倒角加工；采用硅溶胶加水用双面抛光机对晶片进行双面抛光得到蓝宝石晶片成品。

2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石晶片加工方法，其特征在于步骤(1) 晶棒定向切片中蓝宝石晶棒多线切割工序，根据晶片对晶向的要求调整晶棒与金刚石线切割角度。

3.根据权利要求2所述的一种蓝宝石晶片加工方法，其特征在于步骤(2) 超声清洗中将多线切割的晶片采用超声清洗机清洗30~60min。

4.根据权利要求3所述的一种蓝宝石晶片加工方法，其特征在于步骤(3)晶片减薄中使用减薄机对晶片进行双面减薄加工，采用300~1000目金刚石砂轮，将蓝宝石晶片减薄，留有10um~50um的加工余量，其中负载压力1500~2500N，主轮下降速度20~60 µm/min，主轴转速1000~1500 r/min，载台转速60~100 r/min；采用10000~15000目金刚石砂轮对晶片进行双面精加工，负载压力1000~1500N，主轮下降速度0.1~0.5 µm/min，主轴转速1000~1500 r/min，载台转速60~100 r/min；去厚速度为0.4-1.5 µm/s，精加工速度为0.1~0.5 µm/min，采用高分子膜对晶片进行贴膜固定，每盘可粘贴5-10片4英寸蓝宝石晶片。

5.根据权利要求4所述的一种蓝宝石晶片加工方法，其特征在于步骤(5)退火具体中首先将蓝宝石晶片放入退火炉内，然后以30~200℃/h的升温速度将退火炉内温度升至800~1200℃，保温5~20h，最后以30~200℃/h的降温速度将退火炉内温度降至室温。

6.根据权利要求5所述的一种蓝宝石晶片加工方法，其特征在于步骤(6) 边缘倒角使用倒角机进行晶片边缘倒角加工。

7.根据权利要求6所述的一种蓝宝石晶片加工方法，其特征在于步骤(7)CMP抛光压力为300~1000g/cm²，抛光温度为40~50℃，抛光后晶片表面质量控制在 TTV ≤ 3μm，WARP ≤5μm，晶片表面粗糙度 Ra ≤ 0.6nm。