[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810372729.X 申请日: 2018-04-24
公开(公告)号: CN108831867A 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 矢岛明;山田义明 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60;H01L21/66
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法。在本发明的半导体装置中,以与焊盘电极ALP接触的方式形成有阻挡层BAL。作为阻挡层BAL,形成有包含钛膜与氮化钛膜的钛合金层。以与阻挡层BAL接触的方式形成有种晶层SED。作为种晶层SED,形成有铜膜。以与种晶层SED接触的方式形成有银凸块AGBP。银凸块AGBP由利用电镀法形成的银膜AGPL构成。在该银凸块AGBP上接合有锡合金球SNB。
搜索关键词: 半导体装置 阻挡层 凸块 种晶层 氮化钛膜 焊盘电极 钛合金层 接合 电镀法 锡合金 铜膜 银膜 钛膜 制造
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:元件形成区域,其划定在半导体基板上;半导体元件,其形成于所述元件形成区域;多层配线结构,其以覆盖所述半导体元件的方式形成,并且包括多个配线层及对所述多个配线层彼此之间进行电绝缘的层间绝缘膜;焊盘电极,其与所述多个配线层中的一个配线层电连接;阻挡层,以与所述焊盘电极接触的方式形成;银凸块,经由所述阻挡层与所述焊盘电极电连接;焊锡凸块,以与所述银凸块接触的方式形成。
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