[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

元件形成区域，其划定在半导体基板上；

半导体元件，其形成于所述元件形成区域；

多层配线结构，其以覆盖所述半导体元件的方式形成，并且包括多个配线层及对所述多个配线层彼此之间进行电绝缘的层间绝缘膜；

焊盘电极，其与所述多个配线层中的一个配线层电连接；

阻挡层，以与所述焊盘电极接触的方式形成；

银凸块，经由所述阻挡层与所述焊盘电极电连接；

焊锡凸块，以与所述银凸块接触的方式形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述银凸块由包含钯(Pd)及金(Au)的银合金形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述银凸块由纯银形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述焊锡凸块由包含银(Ag)及铜(Cu)的锡合金形成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述层间绝缘膜包括Low-k膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述阻挡层与所述银凸块之间存在种晶层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述种晶层由铜膜形成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述阻挡层由钛合金层形成。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件包括闪存器。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

在半导体基板上划定元件形成区域的工序；

在所述元件形成区域形成半导体元件的工序；

以覆盖所述半导体元件方式形成包括多个配线层及对所述多个配线层彼此之间进行电绝缘的层间绝缘膜的多层配线结构的工序；

形成与所述多个配线层中的一个配线层电连接的焊盘电极的工序；

以与所述焊盘电极接触的方式形成阻挡层的工序；

形成经由所述阻挡层而与所述焊盘电极电连接的银凸块的工序；

在所述银凸块上形成焊锡凸块的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述银凸块上形成所述焊锡凸块的工序之前，还具备进行热处理的同时测试所述半导体元件的工序。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述半导体元件的工序包括形成闪存器的工序，

测试所述半导体元件的工序包括：

使探针接触到所述银凸块的工序；

在所述探针与所述银凸块接触的状态下，对所述闪存器进行存储保持测试的工序。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述银凸块的工序包括：利用电镀法形成银膜的工序。

14.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述银凸块的工序包括：利用印刷法涂布银浆，从而形成银膜的工序。

15.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述银凸块的工序包括：利用溅射法形成银膜的工序。

16.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成所述焊锡凸块的工序包括：利用焊球形成焊锡凸块的工序。