[发明专利]漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810357349.9 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108649069A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 黄伟;察明扬;陈琳;郑亮;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件及其制备方法。本发明的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件包括：衬底、GaN/AlGaN叠层结构、源极、栅极和漏扩展结构；其中，漏扩展结构的一部分形成于GaN层上，并与所述GaN/AlGaN叠层的侧面相接触，另一部分与AlGaN层上表面间形成有绝缘介质层。本发明采用低阻的硅化物薄膜作为漏极引线，不仅缩小了有源区，而且重构了电流通道，避免了二维电子气需要翻越高势垒的AlGaN/GaN异质结才能被漏电极抽取走的状况，从而使射频GaN/AlGaN器件获得更好的直流参数、高频线性参数等。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展结构 射频 制备 半导体器件技术 二维电子气 硅化物薄膜 绝缘介质层 电流通道 叠层结构 高频线性 漏极引线 直流参数 高势垒 漏电极 上表面 异质结 衬底 低阻 叠层 源极 源区 重构 抽取 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件，其特征在于，包括：衬底、GaN/AlGaN叠层结构、源极、栅极和漏扩展结构，其中：漏扩展结构的一部分形成于GaN层上，并与所述GaN/AlGaN叠层的侧面相接触，另一部分与AlGaN层上表面间形成有绝缘介质层。
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