[发明专利]漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810357349.9 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108649069A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 黄伟;察明扬;陈琳;郑亮;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩展结构 射频 制备 半导体器件技术 二维电子气 硅化物薄膜 绝缘介质层 电流通道 叠层结构 高频线性 漏极引线 直流参数 高势垒 漏电极 上表面 异质结 衬底 低阻 叠层 源极 源区 重构 抽取 侧面 | ||
1.一种漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件，其特征在于，包括：
衬底、GaN/AlGaN叠层结构、源极、栅极和漏扩展结构，其中：
漏扩展结构的一部分形成于GaN层上，并与所述GaN/AlGaN叠层的侧面相接触，另一部分与AlGaN层上表面间形成有绝缘介质层。
2.根据权利要求1所述的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件，其特征在于，所述绝缘介质层为SiN。
3.根据权利要求1所述的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件，其特征在于，所述漏扩展结构材料为低阻硅化物。
4.根据权利要求3所述的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件，其特征在于，所述漏扩展结构材料为镍硅化物。
5.根据权利要求4所述的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件，其特征在于，所述镍硅化物的厚度为100~140nm。
6.一种漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成GaN/AlGaN叠层结构；
在所述GaN/AlGaN叠层结构上形成源极；
形成漏扩展结构，使漏扩展结构的一部分形成于GaN层上，并与所述GaN/AlGaN叠层的侧面相接触，另一部分与AlGaN层上表面间形成有绝缘介质层；以及
形成栅极。
7.根据权利要求6所述的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件制备方法，其特征在于，所述漏扩展结构为低阻硅化物。
8.根据权利要求7所述的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件制备方法，其特征在于，所述漏扩展结构为镍硅化物。
9.根据权利要求8所述的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件制备方法，其特征在于，在所述漏扩展结构形成步骤中，具体操作流程为：
在所述GaN/AlGaN叠层结构上形成绝缘介质层作为掩膜；
光刻曝光出器件的MESA有源区图形，刻蚀绝缘介质层和AlGaN层并过刻，形成器件区；
淀积多晶硅薄膜；
光刻曝光形成漏扩展区的图形，刻蚀未掩蔽的多晶硅薄膜并去除光刻胶；
沉积金属镍薄膜并快速热退火形成镍硅化物，去除金属镍及部分绝缘介质层。
10.根据权利要求9所述的漏扩展结构的射频GaN/AlGaN器件制备方法，其特征在于，所述过刻深度为20~50nm，所述多晶硅薄膜的厚度为50~70nm，所述金属镍薄膜的厚度为50~70nm。
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