[发明专利]显影方法以及金属层的图形化处理方法在审

专利信息
申请号: 201810352995.6 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN108646522A 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 易天华 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G03F7/30 分类号: G03F7/30
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种显影方法,包括以下步骤:提供一基板,该基板上设置有经过曝光处理后的第一光阻层,所述第一光阻层具有已曝光区域以及未曝光区域;在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层;第一次显影:所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影,并形成位于基板上的第二光阻层、位于第二光阻层上的光阻/显影混浊层以及位于光阻/显影混合液层上的第二显影液层;第二次显影:刮除所述第二显影液层,并将已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层进行混合,混合后的光阻/显影混浊层继续与所述第二光阻层进行反应以进行第二次显影;第二次显影完成后去除剩余的所述基板上残余的显影液。
搜索关键词: 显影 光阻层 显影液 光阻 基板 混浊 未曝光区域 曝光区域 图形化处理 混合液层 均匀涂布 曝光处理 残余的 金属层 刮除 去除
【主权项】:
1.一种显影方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基板,该基板上设置有经过曝光处理后的第一光阻层,所述第一光阻层具有已曝光区域以及未曝光区域;在该第一光阻层上均匀涂布显影液形成第一显影液层;第一次显影:所述第一显影液层与所述第一光阻层部分反应完成第一次显影,并形成位于基板上的第二光阻层、位于第二光阻层上的光阻/显影混浊层以及位于光阻/显影混合液层上的第二显影液层;第二次显影:刮除所述第二显影液层,并将已曝光区域以及未曝光区域上的光阻/显影混浊层进行混合,混合后的光阻/显影混浊层继续与所述第二光阻层进行反应以进行第二次显影;第二次显影完成后去除剩余的所述基板上残余的显影液。
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