[发明专利]一种柔性外延铁电栅薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810352752.2 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108550627A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 钟向丽;任传来;谭丛兵;王金斌;李波;郭红霞;宋宏甲;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 411100 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性外延铁电栅薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管包括：云母柔性衬底；在衬底上形成的缓冲层；在缓冲层上形成的底栅电极；在底栅电极上形成的外延铁电薄膜层；在外延铁电薄膜层上形成的沟道层；在沟道层上形成的源电极；以及在沟道层上且同所述源电极分离形成的漏电极。本发明以具有金属导电性的钙钛矿氧化物SrRuO3外延薄膜作为底栅电极，以钙钛矿氧化物外延铁电薄膜作为栅介质层；其具有非常好的机械弯曲特性，可以承受2mm弯折半径和反复1000次的弯折，并保持铁电栅薄膜晶体管的电学性能基本不变；读写速度快；耐高温性能优异，经过400℃退火后其电学性能无明显变化；而且其制备工艺简单、制程稳定、制造周期短。 | ||
| 搜索关键词： | 外延铁电 薄膜晶体管 底栅电极 沟道层 钙钛矿氧化物 电学性能 薄膜层 缓冲层 源电极 衬底 弯折 制备 退火 云母 金属导电性 耐高温性能 机械弯曲 外延薄膜 栅介质层 制备工艺 制造周期 漏电极 晶体管 读写 铁电 制程 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种柔性外延铁电栅薄膜晶体管，其特征在于，包括：云母柔性衬底；在所述衬底上形成的缓冲层；在所述缓冲层上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的外延铁电薄膜层；在所述外延铁电薄膜层上形成的沟道层；在所述沟道层上形成的源电极；以及在所述沟道层上且同所述源电极分离形成的漏电极。
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