[发明专利]一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法在审
| 申请号： | 201810350030.3 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110386587A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨芳;张大成;郭俊敏;姜博岩;李婷;罗葵;王玮;范泽新 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法，其步骤包括：准备待腐蚀的硅片；采用ALD技术在所述硅片表面上淀积一层硅湿法腐蚀掩膜；对所述掩膜进行减薄，直至露出下方的硅片表面；利用湿法腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀，获得微结构。本发明利用ALD技术制备硅湿法腐蚀掩膜，淀积温度低，残余应力小，制备的掩膜材质致密，保形覆盖性好，抗腐蚀时间长，可以实现对带有金属、不能经受高温或应力敏感、有高深宽比结构或可动结构的硅片的腐蚀保护。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜 腐蚀 硅湿法 硅片 硅片表面 淀积 制备 致密 保形覆盖 残余应力 腐蚀保护 高深宽比 可动结构 湿法腐蚀 抗腐蚀 微结构 减薄 金属 敏感 | ||
【主权项】：
1.一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法，其步骤包括：准备待腐蚀的硅片；采用ALD技术在所述硅片表面上淀积一层硅湿法腐蚀掩膜；对所述掩膜进行减薄，直至露出下方的硅片表面；利用湿法腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀，获得微结构。
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