[发明专利]一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法在审
| 申请号： | 201810350030.3 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110386587A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨芳;张大成;郭俊敏;姜博岩;李婷;罗葵;王玮;范泽新 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜 腐蚀 硅湿法 硅片 硅片表面 淀积 制备 致密 保形覆盖 残余应力 腐蚀保护 高深宽比 可动结构 湿法腐蚀 抗腐蚀 微结构 减薄 金属 敏感 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于ALD技术的硅湿法腐蚀掩膜方法，其步骤包括：
准备待腐蚀的硅片；
采用ALD技术在所述硅片表面上淀积一层硅湿法腐蚀掩膜；
对所述掩膜进行减薄，直至露出下方的硅片表面；
利用湿法腐蚀溶液对所述硅片进行腐蚀，获得微结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片表面含有金属结构，其采用的金属材质包括铝、钛。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片表面包括槽道、微盲孔、微柱、台阶、针尖结构，其表面起伏不小于10μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片表面含有可动结构，该可动结构包括微梁、梳齿、微镜。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜的材料包括氧化铪。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，淀积所述掩膜的温度为200-395℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜的厚度为
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述掩膜进行减薄的工艺包括图形化工艺，该图形化工艺包括光刻、刻蚀。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀溶液为KOH溶液或TMAH溶液。
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