[发明专利]一种全氮生长直拉硅单晶的方法在审
| 申请号： | 201810332691.3 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108411360A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张文霞;高树良;高润飞;张全顺;刘伟;武志军;裘孝顺;田野 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种全氮生长直拉硅单晶的方法，包括熔化、稳温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、等步骤，其特征在于，等径步骤分为三个阶段，其中，第二阶段为：等径200mm至等径2000mm，输入气体全部为氮气，晶体生长速度大于84mm/hr。本发明的有益效果是采用此生产方法制成的硅单晶制成的电池片，破片率降低2％，光衰低于1.7％、转化率大于21％，均符合行业标准，在降低生产成本的同时，提高氮气拉晶成晶率，满足使用需求，成本至少降低6.25％。 | ||
| 搜索关键词： | 等径 氮气 直拉硅单晶 全氮 熔化 晶体生长 输入气体 行业标准 电池片 硅单晶 破片率 生长 放肩 光衰 拉晶 引晶 收尾 生产 | ||
【主权项】：
1.一种全氮生长直拉硅单晶的方法，依次包括熔化、稳温、引晶、放肩等径和收尾步骤，其特征在于，等径步骤分为三个阶段，其中，第二阶段为：等径200mm至等径2000mm，输入气体全部为氮气，晶体生长速度大于84mm/hr。
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