[发明专利]具有HKMG的NMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有HKMG的NMOS的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有NMOS的栅极结构的硅衬底并在栅极结构的侧面形成侧墙；步骤二、对NMOS的栅极结构的两侧的硅进行刻蚀形成凹槽；步骤三、在凹槽中形成嵌入式外延层的缓冲层；步骤四、进行注入杂质为碳和氮的带倾角的第一次离子注入；步骤五、在凹槽中填充嵌入式外延层的主体层；步骤六、在主体层的表面形成嵌入式外延层的盖帽层；步骤七、进行第二次离子注入在NMOS的栅极结构的两侧形成源区和漏区。本发明能结合嵌入式外延层的形成工艺来改善NMOS的短沟道效应，工艺简单，工艺成本低，本发明不会影响到PMOS的特性。

主权项

1.一种具有HKMG的NMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供形成有NMOS的栅极结构的硅衬底并在所述栅极结构的侧面形成侧墙；所述栅极结构所覆盖的所述硅衬底的表面组成NMOS的沟道区；步骤二、对所述NMOS的栅极结构的两侧的硅进行刻蚀形成凹槽；步骤三、在所述凹槽中形成嵌入式外延层的缓冲层；步骤四、进行带倾角的第一次离子注入，所述第一次离子注入的注入杂质为碳和氮；步骤五、在形成有所述缓冲层的所述凹槽中填充所述嵌入式外延层的主体层；步骤六、在所述主体层的表面形成所述嵌入式外延层的盖帽层；步骤七、进行第二次离子注入在所述NMOS的栅极结构的两侧注入N型杂质并形成所述NMOS的源区和漏区。