[发明专利]等离子体处理装置和控制方法有效
| 申请号： | 201810330050.4 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108735568B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 池田太郎;长田勇辉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种等离子体处理装置和控制方法，目的在于监视等离子体的分布。该等离子体处理装置具有：多个气体供给喷嘴，其设置于处理容器的壁面，朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体；N个微波导入模块，其沿所述处理容器的顶板的周向配置，将用于生成等离子体的微波导入到该处理容器内；以及传感器，在所述处理容器的壁面上设置有N或N的倍数个所述传感器，所述传感器监视在所述处理容器内生成的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te中的至少一方，其中，N≥2。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，具有：多个气体供给喷嘴，所述多个气体供给喷嘴设置于处理容器的壁面，朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体；N个微波导入模块，所述N个微波导入模块沿所述处理容器的顶板的周向配置，将用于生成等离子体的微波导入到该处理容器内；以及传感器，在所述处理容器的壁面设置有N或N的倍数个所述传感器，所述传感器监视在所述处理容器内生成的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te的至少任一方，其中，N≥2。
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