[发明专利]等离子体处理装置和控制方法有效
申请号: | 201810330050.4 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN108735568B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 池田太郎;长田勇辉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种等离子体处理装置和控制方法,目的在于监视等离子体的分布。该等离子体处理装置具有:多个气体供给喷嘴,其设置于处理容器的壁面,朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体;N个微波导入模块,其沿所述处理容器的顶板的周向配置,将用于生成等离子体的微波导入到该处理容器内;以及传感器,在所述处理容器的壁面上设置有N或N的倍数个所述传感器,所述传感器监视在所述处理容器内生成的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te中的至少一方,其中,N≥2。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,具有:多个气体供给喷嘴,所述多个气体供给喷嘴设置于处理容器的壁面,朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体;N个微波导入模块,所述N个微波导入模块沿所述处理容器的顶板的周向配置,将用于生成等离子体的微波导入到该处理容器内;以及传感器,在所述处理容器的壁面设置有N或N的倍数个所述传感器,所述传感器监视在所述处理容器内生成的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te的至少任一方,其中,N≥2。
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