[发明专利]等离子体处理装置和控制方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具有：

多个气体供给喷嘴，所述多个气体供给喷嘴设置于处理容器的壁面，朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体；

N个微波导入模块，所述N个微波导入模块沿所述处理容器的顶板的周向配置，将用于生成等离子体的微波导入到该处理容器内；以及

传感器，在所述处理容器的壁面设置有N或N的倍数个所述传感器，所述传感器监视在所述处理容器内生成的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te的至少任一方，其中，N≥2，

其中，N或N的倍数个所述传感器与在所述处理容器的顶板上等间隔地配置的N个微波导入模块的位置相对应地配置在以所述处理容器的中心轴为基轴具有对称性的位置处。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

N或N的倍数个所述传感器设置于比多个所述气体供给喷嘴低或者与多个所述气体供给喷嘴相同的高度位置处，沿水平方向、斜方向或者垂直方向朝向所述处理容器的径向内侧突出。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

N或N的倍数个所述传感器设置于比多个所述气体供给喷嘴高的高度位置处，朝向所述处理容器的径向内侧沿水平方向突出或者以埋入到所述处理容器的壁面的状态配置。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

N或N的倍数个所述传感器为从所述处理容器的壁面向该处理容器的径向内侧突出的探针。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

N或N的倍数个所述探针上涂覆有绝缘材料。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

N或N的倍数个所述传感器沿周向等间隔地配置。

7.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

多个所述气体供给喷嘴与N或N的倍数个所述传感器设置于相同的高度位置处。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

N或N的倍数个所述传感器设置于从在所述处理容器内载置被处理体的载置台的表面起沿垂直方向-10mm～80mm的范围的高度位置处且设置为相同的高度。

9.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

多个所述气体供给喷嘴与N或N的倍数个所述传感器设置于不同的高度位置处。

10.一种控制方法，使用等离子体处理装置来控制等离子体，该等离子体处理装置具有：多个气体供给喷嘴，所述多个气体供给喷嘴设置于处理容器的壁面，朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体；N个微波导入模块，所述N个微波导入模块沿所述处理容器的顶板的周向配置，将用于生成等离子体的微波导入到该处理容器内；以及传感器，在所述处理容器的壁面设置有N或N的倍数个所述传感器，所述传感器监视在所述处理容器内生成的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te，其中，N≥2，

该控制方法基于利用所述传感器监视到的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te中的至少任一方，来控制从所述微波导入模块导入的微波的功率和从该微波导入模块导入的微波的相位中的至少任一方，

其中，N或N的倍数个所述传感器与在所述处理容器的顶板上等间隔地配置的N个微波导入模块的位置相对应地配置在以所述处理容器的中心轴为基轴具有对称性的位置处。