[发明专利]一种低温度系数参考电压产生电路及检测装置在审
| 申请号： | 201810325160.1 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108508957A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王超;丁向荣 | 申请（专利权）人： | 淮安信息职业技术学院 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567;A61B5/00 |
| 代理公司： | 南京鼎傲知识产权代理事务所(普通合伙) 32327 | 代理人： | 郭元聪 |
| 地址： | 223005 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种参考电压产生电路及检测装置。本发明提供的一种低温度系数参考电压产生电路，包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7和PMOS管M8、M9、M10、M11、M12。该参考电压产生电路有效地解决了现有技术中基准电压源温度系数高、输出不稳定的问题，在传统基准电压电路的基础上降低了输出电压的温度系数，具有较高的输出精度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 参考电压产生电路 低温度系数 检测装置 温度系数 基准电压电路 模拟电路技术 基准电压源 输出 输出电压 有效地 | ||
【主权项】：
1.一种低温度系数参考电压产生电路，其特征在于，所述参考电压产生电路包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7和PMOS管M8、M9、M10、M11、M12；其中，PMOS管M8、M9的源极均连接电源电压VDD，PMOS管M8、M9的栅极相连，PMOS管M8的栅极与漏极相连；NMOS管M1的漏极连接PMOS管M8的漏极，NMOS管M1的栅极连接NMOS管M2的栅极和漏极，NMOS管M2的漏极连接PMOS管M9的漏极；NMOS管M1的源极连接NMOS管M3的漏极，NMOS管M2、M3的源极均接地；PMOS管M10的源极连接电源电压VDD，栅极与PMOS管M9的栅极相连，漏极连接NMOS管M5的漏极和栅极并作为参考电压VREF的输出端；PMOS管M11的源极连接电源电压VDD，栅极与PMOS管M10的栅极相连，漏极连接NMOS管M6的漏极，NMOS管M6的源极与NMOS管M5的源极相连并连接NMOS管M4的漏极，NMOS管M4的栅极NMOS管M3的栅极，NMOS管M4的源极接地；PMOS管M12的源极连接电源电压VDD，栅极连接PMOS管M11的栅极，漏极连接NMOS管M7的漏极以及NMOS管M6的栅极；NMOS管M7的漏极与栅极相连且栅极连接NMOS管M4的栅极，NMOS管M7的源极接地。
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