[发明专利]一种低温度系数参考电压产生电路及检测装置在审
| 申请号： | 201810325160.1 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108508957A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王超;丁向荣 | 申请（专利权）人： | 淮安信息职业技术学院 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567;A61B5/00 |
| 代理公司： | 南京鼎傲知识产权代理事务所(普通合伙) 32327 | 代理人： | 郭元聪 |
| 地址： | 223005 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考电压产生电路 低温度系数 检测装置 温度系数 基准电压电路 模拟电路技术 基准电压源 输出 输出电压 有效地 | ||
1.一种低温度系数参考电压产生电路，其特征在于，所述参考电压产生电路包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7和PMOS管M8、M9、M10、M11、M12；其中，PMOS管M8、M9的源极均连接电源电压VDD，PMOS管M8、M9的栅极相连，PMOS管M8的栅极与漏极相连；NMOS管M1的漏极连接PMOS管M8的漏极，NMOS管M1的栅极连接NMOS管M2的栅极和漏极，NMOS管M2的漏极连接PMOS管M9的漏极；NMOS管M1的源极连接NMOS管M3的漏极，NMOS管M2、M3的源极均接地；PMOS管M10的源极连接电源电压VDD，栅极与PMOS管M9的栅极相连，漏极连接NMOS管M5的漏极和栅极并作为参考电压VREF的输出端；PMOS管M11的源极连接电源电压VDD，栅极与PMOS管M10的栅极相连，漏极连接NMOS管M6的漏极，NMOS管M6的源极与NMOS管M5的源极相连并连接NMOS管M4的漏极，NMOS管M4的栅极NMOS管M3的栅极，NMOS管M4的源极接地；PMOS管M12的源极连接电源电压VDD，栅极连接PMOS管M11的栅极，漏极连接NMOS管M7的漏极以及NMOS管M6的栅极；NMOS管M7的漏极与栅极相连且栅极连接NMOS管M4的栅极，NMOS管M7的源极接地。
2.一种包含权利要求1所述的参考电压产生电路的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括无线传输单元、整流滤波装置、检测电路、数据存储设备、数据读取设备，所述无线传输单元从外界接收能量并发送给整流滤波装置；所述参考电压产生电路分别连接检测电路、数据存储设备、数据读取设备，所述参考电压产生电路为检测电路、数据存储设备、数据读取设备供电，所述检测电路连接所述数据存储设备和所述数据读取装置，并将数据存储在数据存储设备或通过数据读取设备读取数据。
3.如权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置可用于检测人或动物是生理参数。
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