[发明专利]干刻蚀设备腔体气体侦测系统在审
| 申请号： | 201810322881.7 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108538741A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 李伟华 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N33/00 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统。该干刻蚀设备腔体气体侦测系统包括：腔体、设于所述腔体内的侦测传感器以及设于所述腔体外并与侦测传感器电性连接的监控设备；所述侦测传感器用于侦测腔体内干刻蚀气体的浓度，并反馈给监控设备；所述监控设备用于显示腔体内干刻蚀气体的浓度，方便作业人员确定腔体内干刻蚀气体的浓度，当腔体内干刻蚀气体的浓度低于一危险浓度，才可以打开腔体进行作业，防止腔体内的干刻蚀气体对作业人员产生危害，保证作业人员在确定干刻蚀气体的浓度合规的情况下进行作业，提高作业的安全系数。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀气体 腔体 体内 干刻蚀设备 侦测传感器 监控设备 侦测系统 安全系数 电性连接 方便作业 侦测 反馈 保证 | ||
【主权项】：
1.一种干刻蚀设备腔体气体侦测系统，其特征在于，包括：腔体(10)、设于所述腔体(10)内的侦测传感器(20)以及设于所述腔体(10)外并与侦测传感器(20)电性连接的监控设备(30)；所述腔体(10)内具有干刻蚀气体(11)；所述侦测传感器(20)用于侦测腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度，并反馈给监控设备(30)；所述监控设备(30)用于显示腔体(10)内干刻蚀气体(11)的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
